调查得出的结论是，该芯片不是硅基板，而是形成在蓝宝石基底上，顶部有硅和金属布线。因此，芯片是透明的，正如您可以从下图中通过芯片看到的金色“X”看到的那样。
它位于接口总线 (HP-IB) 和Z80处理器之间的一个不起眼的软盘驱动器控制器PCB中。
蓝宝石硅芯片（Silicon-on-sapphire,SOS）可能听起来有些未来主义，这样的形式制造的IC自 1963 年或更早以来就已存在。蓝宝石硅 IC 的一个著名示例是研究木星及其卫星的伽利略太空探测器上使用的 RCA 1802 处理器。
大多数集成电路形成在硅晶片上。另一方面，蓝宝石基底的硅芯片则从蓝宝石衬底开始。在蓝宝石基板上构建一层薄薄的硅以形成电路。硅是N型的，并且在需要时通过离子注入将其转化为P型。在顶部创建金属布线层，形成布线以及金属栅极晶体管。下图显示了电路的横截面。
蓝宝石衬底硅芯片的重要一点是硅区域彼此分离。由于蓝宝石基板是绝缘体，因此与常规集成电路不同，晶体管是完全隔离的。这减少了晶体管之间的电容，来提升了性能。绝缘还可以有效的预防杂散电流，防止闩锁和辐射。
PHI 芯片使用了一种不寻常的封装。该芯片安装在陶瓷基板上，并由陶瓷盖保护。该封装有 48 个压入插座的金手指。芯片通过两个金属弹簧夹固定在插座中。
拆开芯片很简单，但比预期的更戏剧化。芯片的盖子上贴有粘合剂，能够最终靠加热软化。热空气不够，所以使用了电热板。拆解过程中，使用一把X-Acto 刀戳它来测试粘合剂，导致盖子突然飞离，发出一声响亮的“砰”的一声，刀片飞到空中。很高兴戴着安全眼镜。
打开芯片后，创建了下面的高分辨率芯片照片。金属层清晰可见，呈白色线条，而硅呈灰色，蓝宝石呈紫色。在芯片边缘周围，键合线 个外部连接连接到芯片。在中心偏左上方，一个大的规则矩形电路块提供 160 位存储：这是两个 8 字 FIFO 缓冲区，在接口总线和连接的微处理器之间传递 10 位字。边缘周围的厚金属迹线伏和接地电压。
由于蓝宝石硅实现以及金属栅极晶体管的使用，该芯片上的电路具有不寻常的外观，但基本上电路是标准 CMOS。下图显示了一个实现反相器和 NAND 门的块。蓝宝石基板呈深紫色。最重要的是，粗灰色线是硅。顶部的白色金属连接晶体管。当金属穿过硅时（用字母表示），也能形成晶体管的栅极。不方便的是，接触硅的金属、跨越硅的金属以及形成晶体管的金属在该芯片中都显得很相似。这使得确定接线更加困难。
下面的示意图显示了门的实现方式，与上面的照片相匹配。顶部和底部的金属线分别提供电源轨和接地轨。反相器由NMOS晶体管A和PMOS晶体管B组成；输出进入晶体管 D 和 F。NAND 门由 NMOS 晶体管 E 和 F 以及 PMOS 晶体管 C 和 D 组成。NAND 门的组件在金属方块处连接，然后输出通过硅离开在右侧。请注意，只有当一个信号位于硅层中且一个信号位于金属层中时，信号才能交叉。由于只有两层布线，PHI 芯片中的信号一定要经常蜿蜒以避免交叉，浪费了大量空间。（这种布线 年代也具有多晶硅层的典型芯片受到更多限制，总共提供了三个布线层。）
PHI 芯片有两个先进先出缓冲器 (FIFO)，占芯片的很大一部分。每个 FIFO 保存 8 个字，每字 10 位，其中一个 FIFO 保存从总线读取的数据，另一个 FIFO 保存向总线写入的数据。这些缓冲器有助于使总线速度与微处理器速度相匹配，确保数据传输尽可能快。
FIFO 的每一位大多数都是一个静态RAM单元，如下图所示。反相器 A 和 B 形成一个环路，用于保持一个比特。通过晶体管 C 提供反馈，使反相器环路保持稳定。要写入一个字，需要通过垂直位输入线 位。水平字写入信号被激活，以选择要更新的字。这将禁用晶体管 C 并开启晶体管 D，使新比特流入反相器环路。要读取一个字，水平字读取线会被激活，并打开传递晶体管 F。这样，单元中的位就会流入垂直位输出线，并由反相器 E 缓冲。两个FIFO具有单独的行，因此能独立读取和写入。
下图显示了裸片上出现的 9 个 FIFO 单元。红色框表示一个单元，其组件已标记为与原理图相匹配。单元在垂直和水平方向上镜像以增加布局密度。
FIFO 左侧和右侧的控制逻辑（未示出）管理 FIFO。该逻辑生成适当的读取和写入信号，以便将数据写入 FIFO 的一端并从另一端读取。
另一个有趣的电路是根据地址线选择特定寄存器的译码器。PHI 芯片有八个寄存器，由三个地址线选择。译码器获取地址线 条控制线（或多或少），一根用于从每个寄存器读取，一根用于写入每个寄存器。
译码器具有规则的矩阵结构，可有效实现。行线是成对的，每个地址位输入及其补码都有一行。每一列对应一个输出，晶体管的排列使得当给定适当的输入时该列将被激活。顶部和底部是逆变器。它们锁存传入的地址位、生成补码并缓冲输出。
上图显示了译码器的工作原理。（我将其简化为两个输入和两个输出。）在顶部，地址线穿过由两个反相器和一个传输晶体管组成的锁存器。地址线及其补码构成两条行线；其他行线类似。每列的一条行线上有一个晶体管，另一条行线上有一个二极管，用于选择该列的地址。例如，假设0为 1，n为 0。这与第一列匹配，因为晶体管线为低电平，二极管线为高电平。该列中的 PMOS 晶体管将全部导通，从而将反相器的输入拉高。然而，如果任何输入“错误”，相应的晶体管将关闭，从而阻断 +12 伏电压。此外，输出将通过相应的二极管拉低。因此，只有当所有输入匹配时，每列才会被拉高，否则将被拉低。每列输出控制芯片的一个寄存器，允许访问该寄存器。
接口总线 (HP-IB) 于 20 世纪 70 年代初设计，作为一种低成本总线，用于连接各种设备，包括仪器系统（例如数字电压表或频率计数器）、存储器和计算机。该总线 年成为 IEEE 标准，称为IEEE-488 总线 位并行，设备之间通过握手，因此慢速设备能控制速度。
1977年，开发了一款芯片，称为PHI（Processorto HP-IB Interface），用于实现总线协议并提供微处理器接口。该芯片不仅简化了总线控制器的构造，而且确保设备一致地执行协议。下面的框图显示了 PHI 芯片的组件。它不是一个特别复杂的芯片，但也不是微不足道的。我估计它有几千个晶体管。
下面的芯片照片显示了 PHI 芯片的一些功能块。微处理器连接到顶部引脚，而接口总线连接到下部引脚。
PHI 芯片作为“未来技术”的一个例子很有趣，但并没有完全成功。在蓝宝石硅芯片上投入了大量精力，期望这将成为一项重要的技术：密集、快速和低功耗。然而，事实上，普通硅芯片是获胜的技术，而蓝宝石硅芯片则被降级到利基市场。
PHI 芯片的时期也很有趣，因为接口总线正在从简单的总线过渡到具有复杂协议的高性能总线。早期的总线可以用简单的集成电路来实现，但随着协议变得更复杂，定制接口芯片变得必要。（MOS 6522 多功能接口适配器芯片（1977 年）是另一个例子，在 20 世纪 80 年代的许多家用计算机中使用。）但这些接口仍然足够简单，接口芯片不需要微控制器，而是使用简单的状态机。
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