器材遭到损坏，且如果能发现炙烤痕迹等显着的毛病症状，则常常要剖析硅芯或电子元件。经过此类查看，应该能够找出损坏事情的终究的原因。最终应总结出损坏是由放电形成，仍是由更大规划的浪涌事景象成，亦或许由超出规则约束的过大热应力形成。为此，有必要对规范浪涌
表6列出了用于直接比较的不同浪涌测验规范的要害参数。关于8kV ESD放电，IEC 61000-4-2事情的上升时间很短，峰值电流高达30A。但脉冲能量不是非常高，约为16uJ。人体模型(HBM) [17]脉冲带着的能量更少，峰值电流更低，且上升时间更慢。比较之下，因为脉冲保持的时间长且浪涌发生器输出电阻低，因而IEC 61000-4-2的8/20μs测验脉冲带着的能量比IEC 61000-4-2事情多30倍。就脉冲能量和上升时间而言，100ns TLP脉冲与IEC 61000-4-2脉冲相似，而超快TLP的能量乃至更低。峰值电流为15A的脉冲对应大约3.5mJ。
图63明晰地展现了上的ESD损坏景象。受损面积非常小，但是绝缘层和栅氧化层或许已降解并遭到损坏。走漏电流可导致功用毛病。
图64供给了ESD损坏的另一个示例。图中显现，因为浪涌事情，有一个可见的小洞烧到了晶体内部。
图65中显现的损坏是由IEC 61000-4-5稳健性测验形成的炙烤痕迹。将发生器的充电电压设为42V，并向逻辑缓冲器的芯片发射8/20μs的浪涌脉冲。该测验选用约20A的峰值电流，发生器输出电阻为2Ω。与ESD放电比较，炙烤面积更大；金属衔接彻底被焚毁。
图66是EOS（电气过压）毛病症状的一个示例。因为超越器材的功耗或最大电流限值导致热应力过大，会形成此类损坏。晶体上的损坏非常严峻，炙烤区域相对较大。有时EOS损坏会形成封装破损和碳化。若遇到高电流，通常会观察到接合线熔合的状况。
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