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数字电路复习(第二章:数字信号、CMOS门电路)

数字电路复习(第二章:数字信号、CMOS门电路)

  上一章讲到了信息的编码和逻辑入门知识。接下来这一章主要完成在电路中的信息编码和目前电路的构造,MOS管。

  物理世界的信息编码很容易,比如硬币的正反面、手心手背等。但是这样很不现实,因为我们在大多数情况下要很多bit,而且要稳定可靠且容易操控。于是我们把目光放在电信号上。

  电信号的特征包括:电压、电流、相位、频率。上课所学是电压,依据应用场景还可以再一次进行选择其他的编码,例如无线通信常采用相位和频率来编码。

  电压十分容易产生和检测,且稳定时功耗并不大;但是也十分容易受环境干扰。我们不可能在每一个问题上都找到尽善尽美的解,就这样吧。

  数字信号是表示数字量的信号,数字量在时间和数值上都是离散的。它只在某些时刻有定义,且只取有限集合中的值。

  这看起来没什么不好,但是在传输过程中,咱们不可以保证0.37V的电压没有波动。事实上,噪声和不精确是不可避免的。现实世界是模拟的而不是数字的,我们一定要容忍一定的误差才能实现精确的编码。所以,我们只用一个电压来表示两个值:0,1。

  方法1的问题是在V_{th}附近,很难分辨,是应该解释成“1”还是“0”?

  再加上传输时产生的噪声(例如LC震荡电流、器件允差、外部电磁干扰等),我们很有必要限定一个范围。也就是噪声容限(Noise Margins)

  也就是宽进严出,尽量让电压高质量。让输出电平可靠。一般来说,噪声容限时两个红色差值取小。

  所谓电压转移特性曲线(VTC),也就是画出了输出电压V_{out}与输入电压V_{in}之间的关系曲线,该曲线是在稳定状态下测量得到的。所以其不能反映器件的动态特性,但是对我们分析噪声容限有所帮助。

  所谓半导体,就是常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。

  现如今,本征半导体(不含杂质且无晶格缺陷的半导体,如硅、锗)电阻率较大,实际应用不多,杂质半导体应用倒是愈发火热。

  此时,N区的电子就移动到P区的空穴中,稳定下来后就形成了N指向P的内建电场。

  如果是正向电压(P高N低),PN结就会变窄,于是导通,能够理解成外加电压大于其内建电场的电压。

  图中V_i为高时,受控开关电路断开,输出高电压;而二极管也如此,高电压截止,其右端也保持高电压,输出高电压。而当其为低电压时,两个电路均为导通状态。

  但事实上,二极管并不是理想的,它的反向电阻不是无穷大,正向电阻也不是0。所以就有了对其的特性表述:

  本质上来说,就是一段可以看作断开,一段看作反向电池,一段看成时一个带反向电池的电阻。这个不需要深究。

  淡紫色的部分是衬底,为P型半导体;绿色部分是分开的,一端为漏极D,一端为源极S,为N型半导体。

  此时绿色部分中间由衬底阻挡,电流无法通过。如果我们在栅极G(红色部分)加上高电平,衬底接地。此时栅极和衬底之间就会有电子聚集,P型半导体电子多,就可以在其中流通形成电流了。

  遵循以下两条规则来实现CMOS逻辑电路,我们就可以把MOSFETs模型化简单的电压控制开关

  所谓上拉下拉,就是说上侧和下侧,为何会分上下侧,这是CMOS中C的缘故,其为Complementary(互补)的缘故。这样的电路具有一定的对称性,十分好设计。

  无论v_I是高电平还是低电平,T_1和T_2总是工作在一个导通而另一个截止的状态,即互补状态。

  另外一个特性是,CMOS门天然具有反相器功能,输入端“0”到“1”的上升变化,会导致输出端“1”到“0”的下降变化。

  输入端数目愈多,输出为低电平时串联的导通电阻越多,低电平V_{OL}越高;

  通常来说,NMOS适合传输“0”;PMOS适合传输“1”,于是我们大家可以将两者合一,用来传输和阻断:

  接下来我们大家可以用传输门实现多路选择器(MUX),这个后面会细讲,此处只是当作个例子:

  三态缓冲器有很多种,比如输出反向缓冲器之类的,这在目前来看并不重要,只需要从此理解CMOS即可:

  当CMOS的源极和漏极断开时,两者之间相当于一个电容,而电容的充放电是需要一些时间的。达到我们规定的阈值并没那么迅速,所以就有一定的延时。

  其符号为t_{PD},定义为从输入电平变成有效,到输出电平变成有效的延迟时间上限

  其符号为t_{CD},定义为从任意输入的电平无效开始,到输出电平开始无效的延迟时间下限

  当然,你可能觉得这没什么影响,但是随着芯片尺寸变大,工作频率变高,内部结构变复杂,其影响也会逐渐体现出来。

  另外,由于IC内部集成度很高,其短线上电阻影响很小,但是电容影响很大,充放电需要更多时间。

  而对于总线和时钟信号来说,长线的导线会阻碍信号的变化速度,也会造成延时。

  门的输出延时与其负载电容成正比,输出端连接的负载门数(称为扇出,Fan-out)越多,其负载电容越大,开关过程中达到门限电压所经历的时间越长,延时越大。

  组合逻辑电路的t_{PD}应该是所有路径中的最大值,因为所有的值都送到了,输出才变得有效。

  而组合逻辑电路的t_{CD}应该是所有路径中的最小值,只需要送到一个值,输出就开始变得有效。

  并且我们应该取到t_{PD}的上界和t_{CD}的下界,以此来得知输出值的有效范围。

  当任意一个输入端的电平有效,就能保证输出端电平在t_{PD}时间后状态有效。

  1906年,美国Lee de Forest发明线年代电子计算机中的应用,此时以电子管(真空管)作为基本器件

  )、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶体管;晶体管的出现,使得数字技术有一个飞跃发展,除了计算机、通讯领域应用外,在其它如测量领域得到应用。

  Jack Kilby在TI公司于1958年发明基于锗材料的集成电路,1959年获得专利,2000年获诺贝尔物理奖

  通过很复杂的多步净化,做一个硅锭,其纯度要达到平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。

  再上光刻胶,光刻,离子注入(剩余的光刻胶会保护),再清除光刻胶。然后再蚀刻孔洞,填充铜。